超低頻高壓發(fā)生器0.1HZ

產(chǎn)品特點(diǎn):

1、智能化程度高：采用數(shù)字變頻技術(shù)，微電腦控制，升壓、降壓、測(cè)量等測(cè)試過程全自動(dòng)化。

2、操作方便：接線簡(jiǎn)單，7寸大液晶觸摸屏，操作便捷，人機(jī)交互友好。

3、保護(hù)全面：多重保護(hù)（過壓保護(hù)、高低壓側(cè)過流保護(hù)），動(dòng)作迅速（動(dòng)作時(shí)間≤10ms），儀器安全可靠。

4、安全可靠：控制器和高壓發(fā)生器低壓連接，光電控制，使用安全可靠。

5、采用了高低壓閉環(huán)負(fù)反饋控制電路，輸出無(wú)容升效應(yīng)。

6、采樣精準(zhǔn)：高壓電流、電壓數(shù)據(jù)均直接通過高壓側(cè)采樣獲得，所以數(shù)據(jù)真實(shí)、準(zhǔn)確。

7、配置齊全：7寸電容觸摸屏，液晶漢字顯示，自動(dòng)存儲(chǔ)，自動(dòng)打印。

8、測(cè)試范圍廣：0.1Hz、0.05Hz 及 0.02Hz 多頻率選擇，測(cè)試范圍大。

9、攜帶方便：儀器體積小巧、重量輕便，十分利于戶外作業(yè)。

10、多語(yǔ)言顯示： 中英文切換功能，其它語(yǔ)言可定制。

超低頻高壓發(fā)生器0.1HZ

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

超低頻發(fā)生器實(shí)際上是工頻耐壓試驗(yàn)的一種替代方法。對(duì)大型發(fā)電機(jī)、電纜等試品進(jìn)行工頻耐壓試驗(yàn)時(shí)，可以代替大容量諧振變壓器。華意電力超低頻高壓發(fā)生器接合了現(xiàn)代數(shù)字變頻技術(shù)，采用微機(jī)控制，升壓、降壓、測(cè)量、保護(hù)wan全自動(dòng)化。由于全電子化，所以體積小重量輕、大屏幕液晶顯示，清晰直觀、且能顯示輸出波形、打印試驗(yàn)報(bào)告。設(shè)計(jì)指標(biāo)wan全符合《電力設(shè)備專用測(cè)試儀器通用技術(shù)條件，第4部分：超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件》電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，使用十分方便。

超低頻高壓發(fā)生器是進(jìn)行超低頻交流耐壓試驗(yàn)的高壓測(cè)試裝置，本裝置適用于電力部門和工礦企業(yè)在現(xiàn)場(chǎng)對(duì)聚乙烯、交聯(lián)聚乙烯塑料電纜及其他高壓電氣設(shè)備進(jìn)行絕緣耐壓試驗(yàn)。本裝置相對(duì)于直流耐壓試驗(yàn)具有較小的破壞性且與交流工頻耐壓具有等效性。

從國(guó)內(nèi)外多年的理論和實(shí)踐證明，用0.1Hz超低頻耐壓試驗(yàn)替代工頻耐壓試驗(yàn)，不但能有同樣的效果，而且設(shè)備的體積大為縮小，重量大為減輕，理論上容量約為工頻的五百分之一，且操作簡(jiǎn)單，與工頻試驗(yàn)相比*性更多。這就是為什么發(fā)達(dá)國(guó)家普遍采用這一方法的原因。國(guó)家發(fā)改委已制定了《35kV及以下交聯(lián)聚乙烯絕緣電力電纜超低頻（0.1Hz）耐壓試驗(yàn)方法》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。我國(guó)正在推廣這一方法，本儀器是根據(jù)這一需要研制而成的。可廣泛用于電纜、大型高壓旋轉(zhuǎn)電機(jī)的交流耐壓試驗(yàn)。

技術(shù)參數(shù)

表一：

型號(hào)

額定電壓

帶載能力

電源保險(xiǎn)管

產(chǎn)品重量

VLF-30KV

30kV/20mA

（峰值）

0.1Hz,≤0.5μF～1.1μF

5A

控制器：4kg

升壓體：25kg

0.05Hz,≤0.5μF～2.2μF

0.02Hz,≤0.5μF～5.5μF

VLF-50KV

50kV/30mA

（峰值）

0.1Hz,≤0.5μF～1.1μF

7A

控制器：4kg

升壓體：50kg

0.05Hz,≤0.5μF～2.2μF

0.02Hz,≤0.5μF～5.5μF

VLF-60KV

60kV/30mA

（峰值）

0.1Hz,≤0.5μF

9A

控制器：4kg

升壓體1（30kV）：25kg

升壓體2（30kV）：25kg

0.05Hz,≤0.5μF～1μF

0.02Hz,≤0.5μF～2.5μF

VLF-80KV

80kV/30mA

（峰值）

0.1Hz,≤0.5μF

12A

控制器：4kg

升壓體1（30kV）：25kg

升壓體2（50kV）：50kg

0.05Hz,≤0.5μF～1μF

0.02Hz,≤0.5μF～2.5μF